電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)；它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)；它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。可蒸發(fā)很多難熔金屬或者蒸汽壓低的金屬材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…

技術(shù)參數(shù)：
1. 蒸發(fā)室尺寸：24"×24"×21"；

2. 極限真空度：≤5×10-7托；

3. 電子槍功率： 6千瓦可調(diào)；

4. 蒸發(fā)速率：可由晶體振蕩器監(jiān)控厚度和沉積速率；

5. 可蒸發(fā)金屬膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；

6. 膜厚度誤差 ≤±5%，膜厚均勻性誤差 ≤±5% 。

主要特點：
1. 安全簡易的軟件操作系統(tǒng)，四個不同級別的用戶權(quán)限（操作、工藝、工程師以及維修保養(yǎng)）較大限度的保證系統(tǒng)的安全。

2. 雙腔設(shè)計：蒸發(fā)材料和晶片分別處于不同的腔體中，使得源材料的更換和晶片的裝載過程中限度的保證腔體的潔凈程度和縮短抽真空的時間。

3. 較大的前腔門使得在維修和保養(yǎng)的過程中極為方便。

4. 采用衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式晶片裝載夾具，可以根據(jù)不同的產(chǎn)量的需要升級晶片直徑或增加夾具的數(shù)量。衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式夾具保證了沉積薄膜的均勻性。