BW-ITSM浪涌電流測試儀
BW-IFSM/ITSM（方波 100μm-10ms/＜1000A,正弦波 100μm-10ms/＞3000A）可加熱
是SIC相關(guān)半導體器件測試的重要檢測設備
測試原理：
模擬浪涌電流產(chǎn)生：通常利用專門的電路或裝置來模擬電力系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的浪涌電流情況。如基于LC振蕩電路原理，通過電容的快速放電和電感的儲能、釋能過程，產(chǎn)生具有特定波形和幅值的浪涌電流。一些系統(tǒng)還會采用晶閘管等功率器件來控制放電過程，精確調(diào)整浪涌電流的參數(shù)。
響應檢測與分析：被測設備在承受浪涌電流時會產(chǎn)生相應的電氣響應，如電壓波動、電流變化、設備工作狀態(tài)改變等。測試系統(tǒng)通過電壓傳感器、數(shù)據(jù)采集設備等記錄這些響應，然后利用數(shù)據(jù)分析軟件對采集到的數(shù)據(jù)進行處理和分析，判斷被測設備對浪涌電流的耐受能力、響應特性等。
測試意義：
1）該系統(tǒng)的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。
2）該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理。
3）該套測試設備主要由以下幾個單元組成：
a、浪涌測試單元
b、阻斷測試單元
C、自動加熱控溫系統(tǒng)
d、計算機控制系統(tǒng)，參數(shù)設定，測試數(shù)據(jù)記錄，波形保存均有計算機完成，一鍵測試，
4）參考的相關(guān)標準：JBT-7624-2013《整流二極管測試方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200
一、技術(shù)條件
1、浪涌測試單元IFSM
正弦半波浪涌電流范圍：短路電流50～3000A，分辨率1A,精度＜2%±1，
低檔范圍：50～200A，計算機設定 高檔范圍：100～3000A 計算機設定
b.浪涌電流底寬：0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波，偏差小于±3%，單選。
c.浪涌電流重復測試間隔（可設定）：2S～300S。
e.浪涌電流下的壓降測試：壓降測試范圍0.01-50V，分辨率0.001V,精度＜2%±0.01
f.正向浪涌波形和導通壓降波形可自動顯示并保存在電腦中。同時可保存波形的數(shù)據(jù)。
g、方波浪涌：電流寬度100-5000us,可任意調(diào)整參數(shù)寬度
h、方波電流范圍：寬度：方波100-1000us:對應電流MAX50-1000A
方波5-10mS：對應電流MAX50-500A
方波0.1-1mS：對應電流MAX50-1000A
浪涌電流輸出方式：單次、重復（電流不變，重復測試）、遞增（測試電流按設定步進自動增加，到目標或失效停止）
加熱自動控溫系統(tǒng)，含兩套，模塊為底板加熱控溫，分立器件為手動小型加熱控溫?？販胤秶?5-180℃，控溫誤差小于2%，設定溫度手動設定。
2、阻斷測試(用于判斷浪涌電流后器件是否失效)
a.正反向電壓測試范圍：50V～500V可調(diào) ，分辨率1V,精度＜2%±1。
設定漏電流上限保護，再測試電壓；如測試漏電流大于設定值停止加高壓。判斷為導通失效。
b.反向電壓輸出方式：DC直流，正反向輸c.漏電流：0.001～10mA，分辨率0.001mA,精度滿量程的±5%
e.測試過程：計算機設定，過程一鍵自動測試；自動完成判斷是否浪涌失效，并自動保存測試數(shù)據(jù)
g,適合封裝：各類二極管，MOS、IGBT等，封裝為TO直插或模塊等，兩種接口：1000A以下的直插接口，及模塊接口（機柜側(cè)面），所有接口均手動接入器件。
3、MOS器件正向?qū)ā⒎聪颍w二極管）測試
正向?qū)y試：柵極電壓：5-25V可設定， 判斷阻斷電壓給正向電壓反向?qū)y試：柵極電壓：-10-0V可設定，判斷阻斷電壓給反向電壓。
參數(shù)設定主要是設定圖11所示的幾個關(guān)鍵參數(shù)，包括反向保護電壓、保護電流（設定漏電流上限）、脈沖間隔時間（重復測試時間）、脈沖次數(shù)（重復次數(shù)）等。設定時需注意，有關(guān)參數(shù)不能超過系統(tǒng)設定范圍，比如脈沖次數(shù)為1-20次，如輸入30，則系統(tǒng)默認為20。
電流寬度：選10uS或10mS
電流方式：方波或正弦波
電流換擋：低檔（50-200A）,高擋（100-3000A），方波50-1000A
浪涌電流模式：單次、重復或遞增
遞增測試：設定高檔電流，再設起始電流，遞進電流時增加量遞增電流
如：高檔電流設定100A,起始電流70A，遞增5A,點擊運行，測試最終停止與100A
脈沖次數(shù)即重復次數(shù)
其他二極管浪涌測試：
可用于各類二管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗，包括三管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二管的浪涌測試。二管元件在實際使用中，除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外，還應能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞，以便適應在各種應用中的要求。二管浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化）。
技術(shù)指標：
浪涌電流（IFSM/ITSM）調(diào)節(jié)范圍：0.30～3.60kA
分辨率0.01kA，精度±3%±0.01kA
電流波形：正弦半波，底寬10ms
測試頻率：單次
反向電壓（VRRM）調(diào)節(jié)范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV，精度±5％
反向電壓測試頻率：50Hz；
反漏電流（IRRM）測試范圍；1.0～100.0mA，分辨率0.1mA，精度±5％±0.1mA
工作方式：
由觸摸液晶屏設定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護值
上述設備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標準進行測試時所要求的溫度和壓力測試條件。
