一、功能介紹：
適用于半導體材料企業(yè)、科研、高等校及實驗室分析半導體材料縱向電阻率；可測量橫截面積均勻的圓形、方形或矩形硅單晶的電阻率，試樣長度與截面尺寸之比應不小于3:1；配置測量平臺，正反向電流測量模式；液晶顯示，并帶有溫度補償功能，電阻率單位自動選擇，可選購PC軟件實時數(shù)據(jù)和報表管理；提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.
二.參照標準：
FT-300TZ兩探針電阻率測試儀
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法-方法2直流兩探針法；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測定兩探針法>>
三、參數(shù) 資料
1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.電導率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 測量誤差±（0.05%讀數(shù)±5字）
5.測量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V 測量精度±（0.1%讀數(shù)）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，
量程：1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，1000mA, 誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率、電導率值、溫度、單位自動換算、橫截面、高度、電流、電壓等.
9.溫度要求：23℃±1℃
10.電源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 測量平臺參數(shù)如下：
1）.可測硅芯、檢驗棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規(guī)格可定制）
2）.探針頭探針與試樣接觸位置重復，無橫向移動。
3）.兩探針測試探針。探頭間距1.59mm（其他規(guī)格可定制）；探針機械游率：±0.3%。
4）.探針直徑0.8㎜；探針壓力6-12N，探針材料：鎢針，
5）.探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐
12.標配外選購項：a.pc軟件1套；b.標準電阻1件；c.電腦和打印機
FT-300TZ兩探針電阻率測試儀
