日本Advantest芯片缺陷測(cè)試TDR太赫茲光譜測(cè)試儀

TS9000 TDR/TDT Option

IC 封裝電路版配線(xiàn)故障部位的高分辨率解析

高分辨率TDR/TDT系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高的信號(hào)品質(zhì)

非破壞性分析IC封裝以及電路版內(nèi)部配線(xiàn)的故障部位

TS9000 TDR利用既有的太赫茲解析系統(tǒng)中的短脈沖信號(hào)處理技術(shù)，針對(duì)IC封裝內(nèi)部以及電路版內(nèi)部的配線(xiàn)故障部位進(jìn)行非破壞性分析的系統(tǒng)。使用探針信號(hào)的太赫茲脈沖和之前用電氣產(chǎn)生的脈沖相比，脈沖短，帶域?qū)?，可得到更高分辨率的不良診斷。日本Advantest半導(dǎo)體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

抽取測(cè)定好的時(shí)間波形的變化，分析故障點(diǎn)(段路，短路，阻抗不匹配等)，把估計(jì)的故障點(diǎn)在測(cè)定對(duì)象的CAD數(shù)據(jù)上可視化呈現(xiàn)出來(lái)、很容易確定故障位置。

測(cè)定實(shí)例

-微凸、C4凸塊的破斷、接觸不良分析 

-硅穿孔（TSV）的接觸不良診斷 

-接頭、樹(shù)脂版內(nèi)部的配線(xiàn)不良診斷

TDR測(cè)定原理

測(cè)定故障點(diǎn)產(chǎn)生的反射脈沖的遲延時(shí)間，換算成距離，確定故障位置

特性

-高分辨率：5μm以下的測(cè)定距離分辨率，確定不良故障位置

-不范圍測(cè)定：300mm的測(cè)定距離范圍

-故障部位的可視化 ：在被測(cè)定物的CAD數(shù)據(jù)上，確定故障位置(*)

-自動(dòng)探測(cè)機(jī)制：對(duì)版進(jìn)行自動(dòng)探測(cè)、防止探針破損

-多器件對(duì)應(yīng)：上升時(shí)間不同，提供3種探針（6ps(*), 12ps, 25ps(*))

                        上升時(shí)間快速探針-器件的高分辨率分析

                         上升時(shí)間慢速探針-適合長(zhǎng)距離回路分析

※ 根據(jù)*的接觸形狀、可協(xié)商客戶(hù)的個(gè)別需求。

TS9001 TDR：基于太赫茲技術(shù)的*封裝失效分析

隨著芯片的體積越來(lái)越小，而集成度越來(lái)越高，對(duì)無(wú)損高分辨率故障定位能力的需求逐漸增大。多年來(lái)富瑞博測(cè)試一直涉足于太赫茲領(lǐng)域的研究。集成多年的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)，TS9001 TDR系統(tǒng)。

TS9001 TDR系統(tǒng)可對(duì)倒裝芯片BGA，晶圓級(jí)封裝和2.5D / 3D 芯片等*半導(dǎo)體封裝中的電路故障進(jìn)行非破壞性和高分辨率分析。 -基于太赫茲技術(shù)的*封裝失效分析

日本Advantest半導(dǎo)體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

TDR測(cè)定例

由OPEN/SHORT構(gòu)成的傳輸線(xiàn)(長(zhǎng)4/6/20mm)的TDR測(cè)定例

-故障模式是OPEN時(shí)，觀察正反射脈沖、SHORT時(shí)，觀察負(fù)反射脈沖

-SHORT/OPEN可進(jìn)行故障分析

-由于太赫茲TDR的探針信號(hào)是脈沖、可以容易判斷故障點(diǎn)的脈沖峰值

解析?表示機(jī)能

 「TS9000 TDR」 標(biāo)配「TDR/TDT Analyzer」。 除了參考良品和不良樣品的波形差分以外、檢出波形的変化點(diǎn)、確定接頭到故障點(diǎn)的距離。

 「CAD Data Link」option 在CAD配線(xiàn)數(shù)據(jù)上確定故障位置的功能，用于幫助確認(rèn)故障點(diǎn)。

參考良品和不良樣品的測(cè)定數(shù)據(jù)水平，補(bǔ)正位相的位相變動(dòng)、只抽出樣品波形的特征

日本Advantest半導(dǎo)體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

TDR/TDT Analyzer的波形演算功能以及標(biāo)記功能、檢出的峰值顯示故障的位置特征

主要規(guī)格

項(xiàng)目規(guī)格THz-TDR/TDT性能通道數(shù)

TDR:1ch，TDT：1ch(option)故障位置檢出分辨率<5 μm上升時(shí)間<12 ps（推薦） (<6ps，<25ps可選)測(cè)定距離tdr測(cè)定>300 mm@εeff = 3TDT測(cè)定

>600 mm@εeff = 3測(cè)定時(shí)間<5 min/point@TDR 300 mm探針配置面片面

探測(cè)方法自動(dòng)位移臺(tái)性能位置再現(xiàn)性<10 μm可動(dòng)范圍150mm×150mmTDR/TDT Analyzer搭載TDR CAD DATA LINK可選日本Advantest半導(dǎo)體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

電腦(OS:Windows7Pro.64bit)主要規(guī)格性能保證范圍

溫度范圍:23±5℃ 相對(duì)濕度:80%以下(無(wú)冷凝)使用環(huán)境

溫度范圍:+10～+30℃ 相對(duì)濕度:80%以下(無(wú)冷凝)保存環(huán)境

溫度范圍:-10～+50℃ 相對(duì)濕度:80%以下(無(wú)冷凝)電源

-分析單元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA

-控制單元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA

外形尺寸/重量

-分析單元: 430(W) × 540(D) × 230(H) mm, 30 kg以下

-?光學(xué)單元: 430(W) × 240(D) × 220(H) mm, 14 kg以下

-探針臺(tái): 1250(W) × 830(D) × 650(H) mm, 130 kg以下

-控制單元: 450(W) × 580(D) × 200(H) mm, 15 kg以下

-延遲線(xiàn)單元：450(W) × 500(D) × 200(H) mm, 10 kg以下

基本構(gòu)成，日本Advantest半導(dǎo)體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

采用超短脈沖信號(hào)處理技術(shù)，具備5μm更高故障定位分辨率

業(yè)界的30秒級(jí)測(cè)量時(shí)間，可實(shí)現(xiàn)精確的故障位置識(shí)別（平均次數(shù)1024時(shí)，是傳統(tǒng)產(chǎn)品的1/10）

高頻探針系統(tǒng)的多功能連接

TS9001 TDR可以與客戶(hù)自選的高頻探針系統(tǒng)進(jìn)行無(wú)障礙連接，從而以較低的價(jià)格構(gòu)建故障分析環(huán)境，滿(mǎn)足多樣化的故障分析需求。

帶有微凸的器件的故障分析（Failure analysis of devices with micro bump）

通過(guò)將TS9001與高分辨率顯微鏡一起連接到高頻探測(cè)系統(tǒng)，可以對(duì)最小直徑為50μm的微凸的器件進(jìn)行故障分析。

溫度控制功能

如果系統(tǒng)連接到具有熱系統(tǒng)功能的高頻探測(cè)系統(tǒng)，則還可以對(duì)低溫/高溫下的器件進(jìn)行故障分析。

什么是TDR

TDR（時(shí)域反射計(jì)）被廣泛用于電路故障定位。輸入脈沖信號(hào)在器件內(nèi)部的電路故障時(shí)反射信號(hào)，用戶(hù)可以通過(guò)比較好片和壞片之間的時(shí)域波形，進(jìn)而確定故障位置和故障模式（開(kāi)路或短路）。