C封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應，會造成離子遷移不正常生長，而導致引腳之間發(fā)生短路現(xiàn)象，濕氣經(jīng)過封裝過程所造成的裂傷，將外部的離子污染帶到芯片表面，在經(jīng)過經(jīng)過表面的缺陷如：護層針孔、裂傷、被覆不良處..等，進入半導體原件里面，造成腐蝕以及漏電流..等問題，如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生。

IC封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應，會造成離子遷移不正常生長，而導致引腳之間發(fā)生短路現(xiàn)象，濕氣經(jīng)過封裝過程所造成的裂傷，將外部的離子污染帶到芯片表面，在經(jīng)過經(jīng)過表面的缺陷如：護層針孔、裂傷、被覆不良處..等，進入半導體原件里面，造成腐蝕以及漏電流..等問題，如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生。

PCT高壓加老化速壽命試驗機技術(shù)參數(shù)：

型號：RK-PCT-350

內(nèi)箱尺寸 （Φ*D）：300*450

外箱尺寸 （W*H*D）：650*1200*950

溫度范圍：110℃～147℃（飽和蒸汽溫度）

濕度范圍：100R.H（飽和蒸汽濕度）

壓力范圍：0.2～3.0kg/cm2（0.05~0.294MPa）

溫度波動度：≤±0.5℃

溫度均勻度：≤±0.5℃

加壓時間：約45min

解析度：溫度：0.01℃，濕度：0.1R.H，壓力：0.1kg/cm2，電壓：0.01DCV

滿足標準：JESD22-A102、IEC60068-2-66等規(guī)范要求