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全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀

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全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀
OES全譜直讀光譜儀應(yīng)用CCD/CMOS光譜儀技術(shù), 廣泛應(yīng)用于冶金、鑄造、機(jī)械、汽車制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制,爐前化驗(yàn),中心實(shí)驗(yàn)室成品檢驗(yàn)。
OES落地式全譜真空式直讀光譜儀體積小、穩(wěn)定性好、檢測(cè)限低、分析速度快、運(yùn)行成本低、操作維護(hù)方便,是控制產(chǎn)品質(zhì)量的理想選擇。

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全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀

OES直讀光譜儀介紹:

OES全譜真空型直讀光譜儀器優(yōu)勢(shì):

1CCD/CMOS全譜光譜儀制造技術(shù)(數(shù)字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù))、通道不受限制 ;

2、國內(nèi)生產(chǎn)真空CCD/CMOS全譜技術(shù)光譜儀的制造商;

3、基體范圍內(nèi)通道改變、增加不需費(fèi)用

4、升級(jí)多基體方便,無須變動(dòng)增加硬件 ;

5、優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性,同一樣品不同的時(shí)間段分析,可獲得良好的數(shù)據(jù)一致性 ;

6、體積小、重量輕, 移動(dòng)安裝方便 ;

7、高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性 ;

OES全譜真空型直讀光譜分析主要特點(diǎn):

1、可測(cè)定包括痕量碳(C),磷(P,硫(S)元素,適用于多種金屬基體,如:鐵基,鋁基,銅基,鎳基,鉻基,鈦基,鎂基,鋅基,錫基和鉛基。全譜技術(shù)覆蓋了全元素分析范圍,可根據(jù)客戶需要選擇通道元素;

2、分析速度快捷,20秒內(nèi)測(cè)完所有通道的元素成分。針對(duì)不同的分析材料,通過設(shè)置預(yù)燃時(shí)間及標(biāo)線,使儀器用短的時(shí)間達(dá)到優(yōu)的分析效果;

3、光學(xué)系統(tǒng)采用真空恒溫光室, 激發(fā)時(shí)產(chǎn)生的弧焰由透鏡直接導(dǎo)入真空光室,實(shí)現(xiàn)光路直通,消除了光路損耗,提高檢出限,測(cè)定結(jié)果準(zhǔn)確,重現(xiàn)性及長(zhǎng)期穩(wěn)定;

4、特殊的光室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使真空室容積更小;

5、自動(dòng)光路校準(zhǔn),光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行譜線掃描,確保接收的正確性,免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動(dòng)識(shí)別特定譜線,與原存儲(chǔ)線進(jìn)行對(duì)比,確定漂移位置,找出分析線當(dāng)前的像素位置進(jìn)行測(cè)定;

6、開放式的電極架設(shè)計(jì),可以調(diào)整的樣品夾,便于各種形狀和尺寸的樣品分析;

7、工作曲線采用國際標(biāo)樣,預(yù)做工作曲線,可根據(jù)需要延伸及擴(kuò)展范圍,每條曲線由多達(dá)幾十塊標(biāo)樣激發(fā)生成,自動(dòng)扣除干擾;

8、HEPS數(shù)字化固態(tài)光源,適應(yīng)各種不同材料 ;

9、固態(tài)吸附阱,防止油氣對(duì)光室的污染,提高長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性;

10、銅火花臺(tái)底座,提高散熱性及堅(jiān)固性能;

11、合理的氬氣氣路設(shè)計(jì),使樣品激發(fā)時(shí)氬氣沖洗時(shí)間縮短,為用戶節(jié)省氬氣;

12、采用鎢材料電極,電極使用壽命更長(zhǎng),并設(shè)計(jì)了電極自吹掃功能,清潔電極更加容易;

13、高性能DSPARM處理器,具有高速數(shù)據(jù)采集及控制功能并自動(dòng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊 的運(yùn)行狀況;

14、儀器與計(jì)算機(jī)之間采用以太網(wǎng)連接,抗干擾性能好,外部計(jì)算機(jī)升級(jí)與儀器配置無關(guān),使儀器具有更好的適用性;

15、核心器件全部原裝,保證了儀器優(yōu)秀品質(zhì)。

OES落地式全譜直讀光譜儀產(chǎn)品參數(shù)指標(biāo)

光學(xué)系統(tǒng)-光學(xué)結(jié)構(gòu)

帕邢-龍格結(jié)構(gòu)

光學(xué)系統(tǒng)-探測(cè)器

多塊高性能線陣

激發(fā)臺(tái)

沖氬式

氬氣流量

激發(fā)時(shí)3-5L/min, 待機(jī)時(shí):無須待機(jī)流量

鎢材噴射電極技術(shù)

點(diǎn)擊自吹掃功能

補(bǔ)

熱變形自補(bǔ)償設(shè)計(jì)

激發(fā)光源

HEPS數(shù)字化固態(tài)光源

100-1000Hz

放電電流

1-80A

特殊技術(shù)

放電參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

預(yù)

高能預(yù)燃技術(shù)

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)-處理器

ARM處理器,高速數(shù)據(jù)同步采集處理

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)-接口

基于DM9000A的以太數(shù)據(jù)傳輸

電源與環(huán)境要求

220VAC,50Hz

分析時(shí)700W,待機(jī)狀態(tài)40W

工作溫度

10-30℃(該溫度范圍內(nèi)溫度變化不大于5℃/h)

工作濕度

20-80%

尺寸與重量

主機(jī)尺寸

800*750*500 mm

120Kg

OES直讀光譜儀應(yīng)用領(lǐng)域


OES全譜直讀光譜儀應(yīng)用CCD/CMOS光譜儀技術(shù), 廣泛應(yīng)用于冶金、鑄造、機(jī)械、汽車制造、航空航天、兵器、金屬加工等領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝控制,爐前化驗(yàn),中心實(shí)驗(yàn)室成品檢驗(yàn)。

OES落地式全譜真空式直讀光譜儀體積小、穩(wěn)定性好、檢測(cè)限低、分析速度快、運(yùn)行成本低、操作維護(hù)方便,是控制產(chǎn)品質(zhì)量的理想選擇。


全譜直讀等離子體發(fā)射光譜儀

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