主要技術(shù)指標(biāo)：●溫度控制：控溫范圍：室溫上7℃～400℃（增量1℃）控溫對(duì)象：柱箱、檢測(cè)器、熱導(dǎo)池、進(jìn)樣器、輔助器（備用）程升階數(shù)：五階程升速率：0

主要技術(shù)指標(biāo)：
● 溫度控制：
  控溫范圍：室溫上7℃～400℃（增量1℃）
  控溫對(duì)象：柱箱、檢測(cè)器、熱導(dǎo)池、進(jìn)樣器、輔助器（備用）
  程升階數(shù)：五階
  程升速率：0.1℃～40℃/min（增量0.1℃）
  恒溫時(shí)間：0～655min（增量1min）
● 火焰離子化檢測(cè)器（FID）：          
  檢測(cè)限：DFID≤5×10-11g /s（樣品:C16）
  測(cè)試結(jié)果：DFID≤1×10-11g /s
  基線噪聲：≤5×10-14A
  基線漂移：≤6×10-13A/h
  線性范圍：≥106
● 熱導(dǎo)檢測(cè)器（TCD）
  靈敏度：≥2000mV．ml/mg
  基線噪聲：≤20μV
  基線漂移：≤30μV
  線性范圍：≥104