Sigma產(chǎn)品系列結(jié)合了場發(fā)射和掃描電子顯微鏡技術(shù)(FE-SEM)。
其**的特點是其*的成像和分析性能。
有了西格瑪，你將通過使用諸如
集成氣閘，*的EDS幾何結(jié)構(gòu)和直觀的工作流程只有四個步驟。
Sigma為您提供*分辨率成像的探測器技術(shù)。
這種顯微鏡是設計用來處理不同操作的
條件和可以適應，以*地適合您的應用。
Sigma生產(chǎn)*質(zhì)量，清晰，*對比度的圖像-從納米粒子和納米纖維到半導體和MEMS組件，一直到太陽能電池。
它為您提供了地形、成分、晶體學和元素分布的信息，用于*的樣品表征。
根據(jù)您的需求配置
決議
0.8 nm 30kv (STEM)
在15千伏下0。8nm
1千伏下的1.6 nm
2.0 nm, 30kv (VP模式)
加速電壓
0.02 - 30kv
樣品目前
4pa - 20na (100na可選)
放大
10 - 1,000,000 ×
電子發(fā)射器
肖特基場發(fā)射體
標準探測器
Inlens SE, ETSE檢測器，VPSE-G4 (VP模式)

簡單。更聰明。更多的集成。
?自動化的工作流程引導您一步一步地提*您的生產(chǎn)力。
?西格瑪為您提供*的分析性能，特別是在處理束敏樣品時。
?集成氣閘可以實現(xiàn)*達5”尺寸的晶圓的*樣品吞吐量。
?結(jié)合靜電和磁場優(yōu)化光學
同時降低場對試樣性能的影響。
?用于SE和BSE信號的Inlens Duo探測器可以讓您在單個探測器中獲取地形和成分信息。
?gemini束流助推器技術(shù)允許小束流直徑和*信噪比，即使在極低的加速度電壓下。
為您的應用程序創(chuàng)建
分析所需材料和制造部件
損傷微結(jié)構(gòu)和MEMS部件的*分辨率的地形信息。
?實時創(chuàng)建精密加工部件的3D表面測量，以確定斷裂和缺陷的原因。
?使用廣泛的檢測器來創(chuàng)建*分辨率
納米材料的圖像和分析。
?分析涂層和薄膜，揭示非導電顆粒隱藏的表面細節(jié)。
?使用笛卡兒電動平臺在腔室中處理大型金屬樣品，用于原位等離子體清洗，以保持*圖像質(zhì)量，獲得結(jié)晶和溝道
對比。
?sigma的大氣閘允許您快速更換半導體和電子樣品上的晶圓。
用*倍放大率拍攝元素層的地形圖像