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AML - 晶圓對準鍵合機

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英國AML
晶圓鍵合機
AML (Applied Microengineering Ltd ) 公司成立于一九九二年。公司坐落于英國牛津哈威爾科學園,主要從事原位晶圓鍵合設(shè)備生產(chǎn),并在擁有數(shù)百億英鎊現(xiàn)代化設(shè)備的Bondcenter的支撐下,為客戶提供鍵合相關(guān)服務(wù)工作。AML生產(chǎn)的對準鍵合機,是目前市場上能夠?qū)崿F(xiàn)在同一設(shè)備上完成原位對準、激活、鍵合的設(shè)備,是MEMS, IC,和III-V鍵合工藝的選擇。在實現(xiàn)原位鍵合的同時,該設(shè)備也被用于壓紋、印壓、納米 壓印及其它圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)??捎糜诳蒲?,并具有適合批量生產(chǎn)的全自動設(shè)備。

AML Bondcenter 為客戶提供了制作鍵合基底,鍵合器件及3D集成和芯片級封裝的場所。

 

 

NEW !  IRIS-紅外晶圓鍵合檢測& Maszara鍵合強度設(shè)備

 


IR
檢測整片鍵合完成的晶圓

紅外檢測是一種快速、簡單的無損檢測方法。它可以檢測鍵合后整片晶圓的空洞、粘接不良或內(nèi)部的顆粒。

可以對直徑200mm的晶圓做出快速檢測
可檢測的空洞小高度是250nm
空洞橫向小尺寸600um

 


全新的IRIS桌上型分析設(shè)備

25mm寬的基板上進行測試。可達檢測200mm的晶圓。
可使粘接強度的測量和分析更快速。
IRIS鍵合強度測量已經(jīng)得到SEMI MS5-0813 Micro Chevron Testing”標準的認證。

 


自動的Maszara鍵合強度測試工具

IRIS可以控制產(chǎn)品的失效。
插入角度可通過設(shè)計來固定和控制。
邊緣效應(yīng)-IRIS測量整片晶圓。
消除由于操作人員的技術(shù)和方法引起測量的不確定性—IRIS提供可重復的刀片插入。
應(yīng)力腐蝕-IRIS可以以比應(yīng)力腐蝕速度更快的速度移動葉片,從而消除了應(yīng)力腐蝕造成的誤差。
兼容沒有圖形的晶圓不像Chevron鍵合強度測試方法那樣,需要有特定圖形的晶圓。
消除操作人員的影響,MAszara測試提供多次的重復結(jié)果。
操作更安全-不用人工操作。
整片晶圓的鍵合強度的mapping圖。

 


全自動分析測量數(shù)據(jù),
并生成鍵合強度的
mapping

測量鍵合強度可達2.5Jm-2
鍵合強度測量支持多種材料的組合,例如:硅、膨化玻璃、藍寶石、用戶可以輸入其它材料的彈性模數(shù)。
分析軟件可以連續(xù)記錄晶圓的條狀位置;通過自動圖像分析,提取裂縫長度。

 

 

AML鍵合機
晶圓對準鍵合機, 廣泛應(yīng)用于MEMS器件, 晶圓級封裝技術(shù)(WLP), *真空封裝基底, TSV 3D互聯(lián)工藝等。

         

AML鍵合機具有的原位晶圓對準鍵合技術(shù):

• 激活、對準、鍵合一體機
• 上下基板獨立加熱,適合Getter材料工藝
• 低擁有成本 & 高生產(chǎn)能力
• 智能作用力控制
• 可靠的全自動對準功能,對準精度可達1微米
• 真空鍵合
• 可鍵合的芯片及晶圓尺寸 為 2” 到 12”
• 自動程序控制功能:適用于研發(fā)或生產(chǎn)等應(yīng)用
• 圖像采集功能:用于識別背面對準標記
• 鍵合前晶圓原位激活、化學表面處理功能
• AML的BONDCENTER可為客戶提供強大的工藝支持

新!

AML Goodbye Adhesives - 3D IC Wafer Processing to use Vacuum-based Temporary Bonding Technique:


 

Cost effective, Time Saving!
- Adhesive free vacuum bonding
- Bonding time <5 mins
- Max. Process Temperature >300oC
- Debonding time <10mins
- Ideal for 3D-IC applications

AML 真空晶圓載片-
臨時鍵合解決方案,無需使用任何粘附劑

 


 
基板溫度/鍵合力曲線圖,上下基板可在鍵合過程中保持不同溫度

Cu-Cu鍵合過程中在腔室內(nèi)使用蟻酸氣體對鍵合表面氧化物進行處理,處理后界面EDX譜圖

原位等離子體激活處理

原位對準系統(tǒng)

 

 

FAB12 - 全自動晶圓對準鍵合機

晶圓尺寸: 150mm & 200mm (或300mm)
晶圓厚度: Max. stack height 6.5mm
晶圓傳輸: 接觸邊緣 3mm 區(qū)域
基礎(chǔ)氣壓: 10-6mbar range
抽氣時間: 5 min (to 10-4mbar)
大鍵合力: 25kN
卡盒數(shù)量: 2 or 3 (FOUP, SMIF or Open Cassetoad Ports)

 


 


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