產(chǎn)品型號(hào)

六源有機(jī)無機(jī)聯(lián)合蒸發(fā)鍍膜設(shè)備

主要特點(diǎn)

1、樣品在鍍膜過程中，帶有烘烤加熱功能，烘烤加熱溫度為：室溫～180℃，測溫控溫。

2、設(shè)備帶有斷水?dāng)嚯娺B鎖保護(hù)報(bào)警裝置、防誤操作保護(hù)報(bào)警裝置。

技術(shù)參數(shù)

1、鍍膜室：鍍膜腔室尺寸約為600×450×450mm，不銹鋼材料，方形前后開門結(jié)構(gòu)，內(nèi)帶有防污板。
2、抽氣系統(tǒng)：采用分子泵+機(jī)械泵抽氣系統(tǒng)：
   真空度：鍍膜室的極限真空≤6×10-4Pa；
   系統(tǒng)漏率≤1×10-7PaL/s。

3、蒸發(fā)源系統(tǒng)：
   有機(jī)源蒸發(fā)源4個(gè)，容積5ml，2臺(tái)蒸發(fā)電源，可測溫控溫，加熱溫度400℃，功率0.5Kw；
   擋板：蒸發(fā)源擋板采用自動(dòng)磁力控制方式，控制其開啟；
   安裝：蒸發(fā)源安裝在真空室的下底上。

4、樣品架系統(tǒng)：
樣品架可放置大小為Φ120mm的樣品，載玻片；

樣品架可旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)速度為：0～30轉(zhuǎn)/分；
安裝：樣品安裝在真空室的上蓋上，蒸發(fā)源安裝在真空室的下蓋上，向上蒸發(fā)鍍膜，蒸發(fā)源都帶有擋板裝置。

7、 5、無機(jī)蒸發(fā)源2套、容積5ml，2臺(tái)蒸發(fā)電源，加熱電流300A，功率3.2Kw；
8、 6、石英晶振膜厚控制儀：膜厚測量范圍0-999999Å。