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上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實現(xiàn)小規(guī)模試驗中 2-4 英寸硅片等半導體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.


KRi 考夫曼離子源 KDC 40 預清潔可以實現(xiàn)
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?
提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.


數(shù)據(jù)來源: 美國 KRi 原廠資料

KRi 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數(shù)
上海伯東美國 KRi 小型低成本直流柵極離子源 KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極.  通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 提供低濃度高能量寬束型離子束.

KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 65 至 1200ev, 離子電流可以超過 140 mA.

上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.

若您需要進一步的了解 KRi 離子源, 請參考以下聯(lián)絡方式
上海伯東: 羅小姐